Параметр | Диапазоны измерения | Погрешность |
Пост. напряжение |
400 мВ/4 В/40 В/400 В |
±(0.7% + 2) |
1000 В |
±(0.8% + 2) |
Перем. напряжение |
400 мВ |
±(3.0% + 3) |
4 В/40 В/400 В |
±(0.8% + 3) |
750 В |
±(1.0% + 3) |
Пост. ток |
400 мкА/4000 мкА/40 мА/400 мА |
±(1.2% + 3) |
10 А |
±(2.0% + 5) |
Перем. ток |
400 мкА/4000 мкА/40 мА/400 мА |
±(1.5% + 5) |
10 А |
±(3.0% + 7) |
Сопротивление |
400 Ом /4 кОм/40 кОм/400 кОм/4 МОм |
±(1.2% + 2) |
40 МОм |
±(2.0% + 5) |
Ёмкость |
4 нФ |
±(5.0% + 5) |
40 нФ/400 нФ/4 мкФ/40 мкФ/200 мкФ |
±(3.0% + 3) |
Частота |
10 Гц/100 Гц/1 кГц/10 кГц/100 кГц/200 кГц |
±(2.0% + 5) |
>200 кГц |
не регламентируется |
Диодный тест |
Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде |
"Прозвонка" |
При сопротивлении цепи менее 50 Ом включается звуковой сигнал |
hFE |
Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда).